金融界2024年11月4日音讯，国家知识产权局信息数据显现，浙江芯晟半导体科技有限责任公司请求一项名为“一种兼容刻蚀硅和多晶硅的刻蚀办法”的专利，公开号 CN 118888437 A，请求日期为2024年6月。

  专利摘要显现，本发明公开了一种兼容刻蚀硅和多晶硅的刻蚀办法，运用HBr作为主刻蚀气体，SF6作为辅佐刻蚀气体，并选用炮击的方法来进行刻蚀，直至到达预设刻蚀时长或预设刻蚀深度。本发明中，在硅和多晶硅一起刻蚀时，运用HBr作为主刻蚀气体，SF6作为辅佐刻蚀气体来完结，比较于SF6作为主刻蚀气体来说各向异性反响很小，且HBr刻蚀进程中会生成很多polymer(生成物/聚合物)来维护侧壁，不会带来多晶硅孔的侧壁钻蚀现象，但由于HBr刻蚀速率很慢，所以参加少数SF6来提高刻蚀速率。本发明能更好地操控刻蚀深度，对硅孔和多晶硅孔的描摹有更好的改进效果。

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